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CSD83325L

Name: Texas Instruments CSD83325L
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD83325L
Price: 680 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD83325L

제조업체 번호:

CSD83325L

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT

데이터시트:

CSD83325L 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 4,815

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩680.8	₩681
	₩429.2	₩4,292
	₩346.3	₩34,630
	₩330	₩165,000
	₩316.7	₩316,700
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩315.2	₩945,600
	₩296	₩1,776,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD83325LT

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩1,628

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD83325LT

설명:

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PICOSTAR-6
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	12 V
Id - 연속 드레인 전류:	8 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	11.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	750 mV
Qg - 게이트 전하:	10.9 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	2.3 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Dual
COA(최종 조립 국가):	PH
COD(확산 공정 국가):	CN
COO(원산지):	PH
하강 시간:	589 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	36 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	353 ns
시리즈:	CSD83325L
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	711 ns
표준 턴-온 지연 시간:	205 ns
단위 중량:	1.500 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.