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CSD25485F5T

Name: Texas Instruments CSD25485F5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25485F5T
Price: 2336 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD25485F5T

제조업체 번호:

CSD25485F5T

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5

데이터시트:

CSD25485F5T 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 380

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공장 리드 타임:: 12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(250의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,336	₩2,336
	₩1,460	₩14,600
	₩976.7	₩97,670
전체 릴(250의 배수로 주문)
	₩976.7	₩244,175
	₩770.9	₩385,450
	₩695	₩695,000
	₩636.6	₩1,591,500
	₩575.2	₩2,876,000
	₩556.3	₩5,563,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD25485F5

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩905

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD25485F5

설명:

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PICOSTAR-3
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	3.2 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	250 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 12 V, 12 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.3 V
Qg - 게이트 전하:	3.5 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.4 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PicoStar
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	14 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	7 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
시리즈:	CSD25485F5
팩토리 팩 수량:	250
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	27 ns
표준 턴-온 지연 시간:	14 ns
단위 중량:	0.700 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

CSD25485F5T 데이터시트

PCN

Product Change Notification (PDF)

SPICE Models

Technical Resources

CSD25485F5 TINA-TI Reference Design

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.