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CSD19536KCS

Name: Texas Instruments CSD19536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19536KCS
Price: 7811 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

595-CSD19536KCS

제조업체 번호:

CSD19536KCS

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

데이터시트:

CSD19536KCS 데이터시트

ECAD 모델:

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예상 2026-02-26

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예상 2026-06-01
공장 리드 타임:: 12

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최소: 1 배수: 1

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩7,811	₩7,811
	₩5,007.8	₩50,078
	₩4,569.8	₩456,980
	₩3,912.8	₩1,956,400
	₩3,796	₩3,796,000
	₩3,606.2	₩9,015,500
5,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	259 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.7 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.1 V
Qg - 게이트 전하:	118 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	375 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Tube
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	307 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	8 ns
시리즈:	CSD19536KCS
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	38 ns
표준 턴-온 지연 시간:	14 ns
단위 중량:	2 g

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.