CSD19533KCS

Texas Instruments
595-CSD19533KCS
CSD19533KCS

제조업체:

설명:
MOSFET 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

데이터시트:
ECAD 모델:
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공장 리드 타임:
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합계:
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₩1,795.8 ₩17,958
₩1,606 ₩160,600
₩1,293.6 ₩646,800
₩1,105.2 ₩1,105,200
₩1,046.8 ₩5,234,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
10.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
NexFET
Tube
브랜드: Texas Instruments
구성: Single
하강 시간: 2 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 115 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 5 ns
시리즈: CSD19533KCS
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 12 ns
표준 턴-온 지연 시간: 7 ns
단위 중량: 2 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

Images

PCN

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

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