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CSD19506KCS

Name: Texas Instruments CSD19506KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19506KCS
Price: 7752 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD19506KCS

제조업체 번호:

CSD19506KCS

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 80V N-CH Power MOSFE T

데이터시트:

CSD19506KCS 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 348

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단가:

₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩7,752.6	₩7,753
	₩5,372.8	₩53,728
	₩5,329	₩532,900
	₩4,628.2	₩2,314,100
	₩3,372.6	₩3,372,600
	₩3,358	₩8,395,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	200 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.3 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	120 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	375 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Tube
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	297 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	11 ns
시리즈:	CSD19506KCS
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	30 ns
표준 턴-온 지연 시간:	19 ns
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.