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CSD18563Q5AT

Name: Texas Instruments CSD18563Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18563Q5AT
Price: 2277 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD18563Q5AT

제조업체 번호:

CSD18563Q5AT

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A

데이터시트:

CSD18563Q5AT 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 1,837

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(250의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,277.6	₩2,278
	₩1,795.8	₩17,958
	₩1,108.1	₩110,810
전체 릴(250의 배수로 주문)
	₩1,108.1	₩277,025
	₩960.7	₩480,350
	₩944.6	₩944,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD18563Q5A

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩2,862

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD18563Q5A

설명:

MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VSONP-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	100 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	6.8 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.7 V
Qg - 게이트 전하:	15 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	116 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
개발 키트:	TPS40170EVM-597
하강 시간:	1.7 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6.3 ns
시리즈:	CSD18563Q5A
팩토리 팩 수량:	250
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	11.4 ns
표준 턴-온 지연 시간:	3.2 ns
단위 중량:	86.200 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.