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CSD18541F5T

Name: Texas Instruments CSD18541F5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18541F5T
Price: 2160 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD18541F5T

제조업체 번호:

CSD18541F5T

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5

데이터시트:

CSD18541F5T 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,390

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공장 리드 타임:: 12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(250의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,160.8	₩2,161
	₩1,365.1	₩13,651
	₩786.9	₩78,690
전체 릴(250의 배수로 주문)
	₩786.9	₩196,725
	₩671.6	₩335,800
	₩603	₩603,000
	₩578.2	₩1,445,500
	₩524.1	₩2,620,500
	₩505.2	₩5,052,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD18541F5

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩730

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD18541F5

설명:

MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PICOSTAR-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	2.2 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	65 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.75 V
Qg - 게이트 전하:	11 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	500 mW
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PicoStar
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	496 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	540 ns
시리즈:	CSD18541F5
팩토리 팩 수량:	250
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	1076 ns
표준 턴-온 지연 시간:	572 ns
단위 중량:	0.700 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

SPICE Models

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.