CSD18533KCS

Texas Instruments
595-CSD18533KCS
CSD18533KCS

제조업체:

설명:
MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..

데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기
추가 정보
Texas Instruments CSD18533KCS에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 5,213

재고:
5,213 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩3,358 ₩3,358
₩1,649.8 ₩16,498
₩1,460 ₩146,000
₩1,172.4 ₩586,200
₩998.6 ₩998,600
₩930 ₩4,650,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
6.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.9 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
NexFET
Tube
브랜드: Texas Instruments
구성: Single
하강 시간: 3.2 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 150 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 4.8 ns
시리즈: CSD18533KCS
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 13 ns
표준 턴-온 지연 시간: 5.7 ns
단위 중량: 2 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

데이터시트

Images

PCN

Product Catalogs

SPICE Models

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.