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CSD17581Q3AT

Name: Texas Instruments CSD17581Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17581Q3AT
Price: 2516 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD17581Q3AT

제조업체 번호:

CSD17581Q3AT

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A

데이터시트:

CSD17581Q3AT 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 278

재고:: 278

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주문 중:: 250

예상 2026-02-20
공장 리드 타임:: 6

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포장:

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컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,516	₩2,516
	₩1,598.4	₩15,984
	₩928	₩92,800
전체 릴(250의 배수로 주문)
	₩928	₩232,000
	₩796.2	₩398,100
	₩717.8	₩717,800
	₩689.7	₩1,724,250
	₩627.5	₩3,137,500
	₩618.6	₩6,186,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD17581Q3A

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩1,820

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD17581Q3A

설명:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VSONP-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	60 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	3.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	54 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	63 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	78 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	23 ns
시리즈:	CSD17581Q3A
팩토리 팩 수량:	250
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	23 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns
단위 중량:	27.700 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

CSD17581Q3A NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments CSD17581Q3A NexFET™ 전력 MOSFET는 N채널 30V, 3.2mΩ 전력 MOSFET입니다. 이 장치는 전력 변환 응용 기기에서 전력 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET는 Qg, Qgd, R_DS(켜짐)와 열 저항성이 낮습니다. 이러한 기능 덕분에 이 장치는 네트워킹, 텔레콤 및 컴퓨팅 시스템의 응용 기기용 부하점 동기식 벅 컨버터에 적합합니다. 이 장치는 또한 모터 제어 응용 기기와 효과적으로 작동하고 FET 응용 기기를 제어하도록 최적화되었습니다.
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