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CSD16570Q5BT

Name: Texas Instruments CSD16570Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16570Q5BT
Price: 5416 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD16570Q5BT

제조업체 번호:

CSD16570Q5BT

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

데이터시트:

CSD16570Q5BT 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 10,440

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(250의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩5,416.6	₩5,417
	₩3,547.8	₩35,478
	₩1,868.8	₩186,880
전체 릴(250의 배수로 주문)
	₩1,868.8	₩467,200
	₩1,781.2	₩890,600
	₩1,752	₩17,520,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD16570Q5B

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩3,679

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD16570Q5B

설명:

MOSFET 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD16570Q5BT

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VSON-CLIP-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	25 V
Id - 연속 드레인 전류:	100 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	680 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.5 V
Qg - 게이트 전하:	192 nC
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
Pd - 전력 발산:	195 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	72 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	43 ns
시리즈:	CSD16570Q5B
팩토리 팩 수량:	250
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	156 ns
표준 턴-온 지연 시간:	5 ns
단위 중량:	24 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

CSD16570Q5BT 데이터시트

SPICE Models

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.