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CSD16406Q3

Name: Texas Instruments CSD16406Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16406Q3
Price: 2525 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD16406Q3

제조업체 번호:

CSD16406Q3

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET N-Ch NexFET Power MO SFETs

데이터시트:

CSD16406Q3 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 10,897

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,525.8	₩2,526
	₩1,606	₩16,060
	₩1,070.2	₩107,020
	₩827.8	₩413,900
	₩768	₩768,000
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩766.5	₩1,916,250
	₩706.6	₩3,533,000
	₩692	₩17,300,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VSON-CLIP-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	25 V
Id - 연속 드레인 전류:	60 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	5.3 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 12 V, 16 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.4 V
Qg - 게이트 전하:	5.8 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	46 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	4.8 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	12.9 ns
시리즈:	CSD16406Q3
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	8.5 ns
표준 턴-온 지연 시간:	7.3 ns
단위 중량:	43.700 mg

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문서 필터:

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.