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CSD16325Q5

Name: Texas Instruments CSD16325Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16325Q5
Price: 4025 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD16325Q5

제조업체 번호:

CSD16325Q5

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET N-Channel NexFET Pow er MOSFET

데이터시트:

CSD16325Q5 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 4,355

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공장 리드 타임:: 12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩4,025.6	₩4,026
	₩2,604.8	₩26,048
	₩1,805.6	₩180,560
	₩1,457.8	₩728,900
	₩1,332	₩1,332,000
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,210.6	₩3,026,500
	₩1,191.4	₩5,957,000
25,000	견적

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VSON-CLIP-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	25 V
Id - 연속 드레인 전류:	60 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.1 V
Qg - 게이트 전하:	18 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	3.1 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	12 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	159 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	16 ns
시리즈:	CSD16325Q5
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	32 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10.5 ns
단위 중량:	118 mg

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

NexFET™ Power MOSFET: CSD16325Q5

The Texas Instruments CSD16325Q5 N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications. The TI CSD16325Q5 NexFET MOSFET is optimized for 5V gate drive applications and boasts ultralow Gate Charge Total and Gate Charge Gate to Drain and low thermal resistance. The TI CSD16325Q5 NexFET Power MOSFET is avalanche rated and optimized for Synchronous FET applications and Point-of-Load Synchronous Buck in networking, telecom, and computing systems.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.