CSD13201W10

Texas Instruments
595-CSD13201W10
CSD13201W10

제조업체:

설명:
MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSF ET

ECAD 모델:
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재고 상태: 7,981

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단가:
₩-
합계:
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포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩828.8 ₩829
₩506.2 ₩5,062
₩328.6 ₩32,860
₩247.2 ₩123,600
₩217.6 ₩217,600
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩188 ₩564,000
₩170.2 ₩1,021,200
₩151 ₩1,359,000
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-4
N-Channel
1 Channel
12 V
1.6 A
34 mOhms
- 8 V, 8 V
650 mV
2.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Texas Instruments
구성: Single
COA(최종 조립 국가): PH
COD(확산 공정 국가): CN
COO(원산지): PH
하강 시간: 9.7 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 23 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 5.9 ns
시리즈: CSD13201W10
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 14.4 ns
표준 턴-온 지연 시간: 3.9 ns
단위 중량: 1.100 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.