C1608NP02A100D080AA

TDK
810-C1608NP02A100DAA
C1608NP02A100D080AA

제조업체:

설명:
다층 세라믹 커패시터 MLCC - SMD/SMT 0603 100V 10pF NP0 0.50pF T: 0.8mm

ECAD 모델:
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재고 상태: 7

재고:
7
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주문 중:
8,000
예상 2026-02-16
공장 리드 타임:
16
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(4000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩262.8 ₩263
₩105.1 ₩1,051
₩92 ₩9,200
₩70.1 ₩35,050
₩64.2 ₩64,200
전체 릴(4000의 배수로 주문)
₩43.8 ₩175,200
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
TDK
제품 카테고리: 다층 세라믹 커패시터 MLCC - SMD/SMT
RoHS:  
10 pF
100 VDC
C0G (NP0)
0.5 pF
0603
1608
SMD/SMT
Standard
- 55 C
+ 150 C
1.6 mm (0.063 in)
0.8 mm (0.031 in)
0.8 mm (0.031 in)
General Type MLCCs
C
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: TDK
클래스: Class1
제품 유형: Ceramic Capacitors
팩토리 팩 수량: 4000
하위 범주: Capacitors
타입: Commercial High Temperature MLCC
부품번호 별칭: C1608NP02A100DT000N C1608NP02A100DT
단위 중량: 6.300 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8532240000
CNHTS:
8532241000
CAHTS:
8532240010
USHTS:
8532240020
JPHTS:
853224000
TARIC:
8532240000
BRHTS:
85322410
ECCN:
EAR99

C Series High Capacitance MLCCs

TDK C Series High Capacitance MLCCs feature precision technologies that enable the use of multiple thinner ceramic dielectric layers. Composed of only ceramics and metals, TDK C Series Capacitors offer dependable performance, exhibiting virtually no degradation even when subjected to temperature extremes. The monolithic structure ensures superior mechanical strength and reliability. These MLCCs are available in a range of capacitance values, numerous case sizes, and in temperature coefficients of X5R, X6S, X7R, X7S, X7T, X8R, Y5V, and C0G (NP0).

C 시리즈 상용 등급 범용 MLCC

TDK C 시리즈 상용 등급 범용 MLCC는 여러 층의 유전체 및 전도성 소재로 된 여러 개의 시트가 있습니다. 표면 실장 MLCC의 모놀리식 구조는 기계적 강도와 신뢰성을 보장합니다. 간단한 구조는 낮은 ESR, ESL 및 더 나은 주파수 특성을 제공합니다.

C 시리즈 고온 MLCC

TDK C 시리즈 고온 MLCC는 -55~+150°C의 작동 온도 범위와 최대 22µF의 정전용량을 제공합니다. 이런 MLCC는 상업용 등급의 TDK 다층 세라믹 칩 커패시터로, 탁월한 DC 바이어스 특성을 제공합니다. TDK C 시리즈 고온 MLCC는 우수한 기계적 강도와 신뢰성을 위해 번갈아 계층화된 유전체 및 전도성 소재가 여러 개의 시트로 구성된 점이 특징입니다. 이상적인 애플리케이션으로는 고온 환경에서 작동하는 장비의 디커플링, 평활화, 스너버 및 공진 회로뿐 아니라, IGBT, SiC 또는 GaN과 같은 고온 장치의 주변기기 회로가 포함됩니다.