SDS065J050H3-ISATH

Sanan Semiconductor
896-SDS065J050H3ISAT
SDS065J050H3-ISATH

제조업체:

설명:
SiC 쇼트키 다이오드 650V 50A, TO247-2L, Industrial Grade

데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기
추가 정보
Sanan Semiconductor SDS065J050H3-ISATH에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:
재고 없음
공장 리드 타임:
최소: 300   배수: 30
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
본 제품의 배송비는 무료

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩9,945.6 ₩2,983,680
₩9,116.8 ₩4,649,568

제품 속성 속성 값 속성 선택
Sanan Semiconductor
제품 카테고리: SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
650 V
1.35 V
337 A
120 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
브랜드: Sanan Semiconductor
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
제품 유형: SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압: 650 V
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

데이터시트

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

Sanan Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are developed using Sanan’s advanced 3rd generation SiC SBD technology with high performance and reliability. These SBDs register higher efficiency, higher operation temperatures, and lower losses and operate at higher frequencies than Si-based solutions. The Schottky structure shows no recovery at turn-off and allows a low leakage current with a reverse voltage of up to 1200V. It can contribute to system miniaturization and achieve lightweight system design. Using RoHS-compliant components, the Sanan Semiconductor SiC SBDs are qualified for industrial applications.

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.