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STW58N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW58N65DM2AG
Price: 18118 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STW58N65DM2AG

제조업체 번호:

STW58N65DM2AG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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데이터시트:

STW58N65DM2AG 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 454

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩18,118.4	₩18,118
	₩14,972	₩149,720
	₩12,479.2	₩1,247,920
	₩11,187.2	₩6,712,320
	₩11,111.2	₩13,333,440
3,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	48 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	65 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	88 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	360 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	MDmesh
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	7.7 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	31 ns
시리즈:	STW58N65DM2AG
팩토리 팩 수량:	600
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	157 ns
표준 턴-온 지연 시간:	28 ns
단위 중량:	6 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STW58N65DM2AG 데이터시트 (PDF)

PCN

규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low R_DS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.