STQ2NK60ZR-AP

STMicroelectronics
511-STQ2NK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP

제조업체:

설명:
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
설계 완성하기

라이프사이클:
수명 종료:
제품 단종이 예정되어 있으며 제조업체에서 생산을 중단할 것입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 94

재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩1,642.8 ₩1,643
₩1,019.7 ₩10,197
₩669 ₩66,900
₩516.5 ₩258,250
₩482.5 ₩482,500
전체 아모(Ammo) 포장(2000의 배수로 주문)
₩384.8 ₩769,600

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel
1 Channel
600 V
400 mA
8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Ammo Pack
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
ACO(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
하강 시간: 25 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 30 ns
시리즈: STQ2NK60ZR-AP
팩토리 팩 수량: 2000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 22 ns
표준 턴-온 지연 시간: 8 ns
단위 중량: 453.600 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

EOL

PCN

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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