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STP33N60M2

Name: STMicroelectronics STP33N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP33N60M2
Price: 7074 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STP33N60M2

제조업체 번호:

STP33N60M2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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데이터시트:

STP33N60M2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 771

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩7,074.4	₩7,074
	₩3,670.4	₩36,704
	₩3,344.8	₩334,480
	₩3,241.2	₩1,620,600
	₩2,871.2	₩2,871,200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	26 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	108 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	45.5 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	190 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	MDmesh
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	SG
하강 시간:	9 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	9.6 ns
시리즈:	STP33N60M2
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	109 ns
표준 턴-온 지연 시간:	16 ns
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STP33N60M2 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.