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STP110N10F7

Name: STMicroelectronics STP110N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP110N10F7
Price: 4686 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STP110N10F7

제조업체 번호:

STP110N10F7

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

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데이터시트:

STP110N10F7 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 1,920

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,686.6	₩4,687
	₩1,693.6	₩16,936
	₩1,679	₩167,900
	₩1,649.8	₩824,900
	₩1,576.8	₩1,576,800
	₩1,503.8	₩3,007,600
	₩1,489.2	₩7,446,000
25,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	110 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	7 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	60 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	150 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	STripFET
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	STP110N10F7
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STP110N10F7 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.