STLD200N4F6AG

STMicroelectronics
511-STLD200N4F6AG
STLD200N4F6AG

제조업체:

설명:
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET

라이프사이클:
NRND:
새로운 디자인에 권장되지 않습니다.
ECAD 모델:
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재고 상태: 2,251

재고:
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단가:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩5,854.6 ₩5,855
₩3,854.4 ₩38,544
₩2,803.2 ₩280,320
₩2,482 ₩1,241,000
₩2,423.6 ₩2,423,600
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩1,927.2 ₩4,818,000
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.27 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
172 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 410 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 440 ns
시리즈: STLD200N4F6AG
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 600 ns
표준 턴-온 지연 시간: 150 ns
단위 중량: 76 mg
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET VI™ 전력 MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™ 전력 MOSFET은 새로운 게이트 구조의 STMicroelectronics 독점 STripFET™ 기술의 혜택을 받는 강화 모드 MOSFET입니다. STripFET™ 전력 MOSFET는 모터 제어, UPS, DC/DC 컨버터, 유도 가열 증발기 및 태양열과 같은 다양한 자동차 자동차 및 산업용 스위칭 애플리케이션에 필요한 고효율 및 저 RDS(on)을 위한 트렌치 기술을 사용합니다. 이 장치는 스위칭 게이트 전하가 매우 낮고, 애벌랜치 내구성이 높으며, 게이트 구동 전력 손실이 낮고 전력 밀도가 높습니다.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.