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STL8N6LF6AG

Name: STMicroelectronics STL8N6LF6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8N6LF6AG
Price: 2471 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-STL8N6LF6AG

제조업체 번호:

STL8N6LF6AG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in

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데이터시트:

STL8N6LF6AG 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,471.6	₩2,472
	₩1,583.6	₩15,836
	₩1,052.3	₩105,230
	₩828.8	₩414,400
	₩757.8	₩757,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩704.5	₩2,113,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerFLAT-5x6-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	32 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	21 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	27 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	55 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	STripFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	7 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	20 ns
시리즈:	STL8N6LF6AG
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	56 ns
표준 턴-온 지연 시간:	9.6 ns
단위 중량:	76 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STL8N6LF6AG 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.