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STL7DN6LF3

Name: STMicroelectronics STL7DN6LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL7DN6LF3
Price: 3685 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STL7DN6LF3

제조업체 번호:

STL7DN6LF3

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III

설계 완성하기

데이터시트:

STL7DN6LF3 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 4,789

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공장 리드 타임:: 13 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,685.2	₩3,685
	₩2,382.8	₩23,828
	₩1,628	₩162,800
	₩1,299.4	₩649,700
	₩1,247.6	₩1,247,600
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,064.1	₩3,192,300
	₩1,047.8	₩6,286,800

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerFLAT-5x6-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	20 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	43 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	8.7 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	52 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q100
상표명:	STripFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Dual
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	STL7DN6LF3
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 N-Channel
단위 중량:	76 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STL7DN6LF3 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET III™ 전력 MOSFET

STMicroelectronics STripFET III™ 전력 MOSFET은 새로운 게이트 구조의 STMicroelectronics 독점 STripFET™ 기술의 혜택을 받는 강화 모드 MOSFET입니다. STripFET™ 전력 MOSFET은 높은 전류와 낮은 R_DS(on)을 제공합니다. 이 STripFET™ 전력 MOSFET은 전도 손실을 낮추기 위해 특정 온 저항을 향상시켰습니다. 이 장치에 사용되는 평면 기술은 고효율, 저전압 시스템에 이상적입니다.