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STL130N6F7

Name: STMicroelectronics STL130N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL130N6F7
Price: 4088 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STL130N6F7

제조업체 번호:

STL130N6F7

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

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데이터시트:

STL130N6F7 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 20,833

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최소: 1 배수: 1

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₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩4,088	₩4,088
	₩2,642.6	₩26,426
	₩1,825	₩182,500
	₩1,489.2	₩744,600
	₩1,369.5	₩1,369,500
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,213.3	₩3,639,900

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerFLAT-5x6-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	130 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	3.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	42 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	125 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	STripFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	24 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	44 ns
시리즈:	STL130N6F7
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	62 ns
표준 턴-온 지연 시간:	24 ns
단위 중량:	76 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STL130N6F7 데이터시트 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.