STH290N4F6-2AG

STMicroelectronics
511-STH290N4F6-2AG
STH290N4F6-2AG

제조업체:

설명:
MOSFET LGS LV MOSFET
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라이프사이클:
NRND:
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데이터시트:
ECAD 모델:
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STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 48 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 116 ns
시리즈: STH290N4F6-2AG
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 105 ns
표준 턴-온 지연 시간: 20 ns
단위 중량: 4 g
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

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