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STGYA50M120DF3

Name: STMicroelectronics STGYA50M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA50M120DF3
Price: 8760 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STGYA50M120DF3

제조업체 번호:

STGYA50M120DF3

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT

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데이터시트:

STGYA50M120DF3 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 1,142

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩8,760	₩8,760
	₩6,336.4	₩63,364
	₩5,650.2	₩678,024
	₩5,329	₩2,717,790
5,010	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	Max247-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	1.2 kV
콜렉터-이미터 포화 전압:	2.1 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	100 A
Pd - 전력 발산:	535 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	M
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
게이트-이미터 누설 전류:	250 nA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	4.430 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STGYA50M120DF3 데이터시트 (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.