브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

STGYA50H120DF2

Name: STMicroelectronics STGYA50H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA50H120DF2
Price: 8891 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

511-STGYA50H120DF2

제조업체 번호:

STGYA50H120DF2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT

설계 완성하기

데이터시트:

STGYA50H120DF2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

STMicroelectronics STGYA50H120DF2에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 560

재고:: 560 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 14 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩8,891.4	₩8,891
	₩6,351	₩63,510
	₩5,577.2	₩669,264
	₩5,445.8	₩2,777,358
	₩5,095.4	₩5,197,308

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	1.2 kV
콜렉터-이미터 포화 전압:	2.1 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	100 A
Pd - 전력 발산:	535 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	4.430 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STGYA50H120DF2 데이터시트 (PDF)

PCN

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.