STGWA80H65DFBAG

STMicroelectronics
511-STGWA80H65DFBAG
STGWA80H65DFBAG

제조업체:

설명:
IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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데이터시트:
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재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩9,636 ₩9,636
₩5,518.8 ₩55,188
₩4,584.4 ₩550,128
₩3,927.4 ₩2,002,974
₩3,869 ₩3,946,380

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
120 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q100
Tube
브랜드: STMicroelectronics
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 6.100 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

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