STGWA30M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGWA30M65DF2AG
STGWA30M65DF2AG

제조업체:

설명:
IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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라이프사이클:
신제품:
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데이터시트:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩6,234.2 ₩6,234
₩4,088 ₩40,880
₩3,051.4 ₩366,168
₩2,715.6 ₩1,384,956
₩2,321.4 ₩2,367,828
₩2,190 ₩5,518,800

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
2.02 V
20 V
87 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
브랜드: STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 57 A
게이트-이미터 누설 전류: 250 nA
제품 유형: IGBTs
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
단위 중량: 6.100 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STGWA30M65DF2AG 자동차 등급 IGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG 자동차 등급 IGBT는 첨단 독점 트렌치 게이트 필드스톱 구조를 사용하여 설계되었습니다. STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG는 저손실 및 필수 단락 기능을 갖춘 인버터에 최적의 시스템 성능 및 효율 균형을 제공합니다. 이 장치는 AEC-Q101 인증을 받았으며 +175°C의 최대 접합 온도, 6μs의 단락 내성 시간, 30A에서 1.7V의 낮은 VCE(sat) 및 엄격한 매개변수 분포를 특징으로 합니다. 이 장치는 부드러운 고속 복구 역병렬 다이오드와 낮은 열 저항도 갖추고 있으며 TO-247 롱 리드 패키지로 제공됩니다.

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