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STGW8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGW8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW8M120DF3
Price: 6882 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STGW8M120DF3

제조업체 번호:

STGW8M120DF3

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss

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데이터시트:

STGW8M120DF3 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 344

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩6,882	₩6,882
	₩3,833.2	₩38,332
	₩3,152.4	₩315,240
	₩2,812	₩1,687,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	TO-247-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	1.2 kV
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.85 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	16 A
Pd - 전력 발산:	167 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	M
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
게이트-이미터 누설 전류:	250 uA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	600
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	6 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STGW8M120DF3 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.