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STGW25H120DF2

Name: STMicroelectronics STGW25H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW25H120DF2
Price: 6847 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STGW25H120DF2

제조업체 번호:

STGW25H120DF2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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데이터시트:

STGW25H120DF2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 1,693

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩6,847.4	₩6,847
	₩3,854.4	₩38,544
	₩2,701	₩270,100
	₩2,598.8	₩1,559,280
	₩2,496.6	₩7,489,800

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	TO-247-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	1.2 kV
콜렉터-이미터 포화 전압:	2.1 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	50 A
Pd - 전력 발산:	375 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	STGW25H120DF2
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic :	25 A
게이트-이미터 누설 전류:	250 nA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	600
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	38 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STGW25H120DF2 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.