STGP7H60DF

STMicroelectronics
511-STGP7H60DF
STGP7H60DF

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
설계 완성하기

데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기
추가 정보
STMicroelectronics STGP7H60DF에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:
재고 없음
공장 리드 타임:
15 주 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 2000   배수: 1000
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
본 제품의 배송비는 무료

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩785.9 ₩1,571,800

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.95 V
- 20 V, 20 V
14 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP7H60DF
Tube
브랜드: STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 14 A
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
게이트-이미터 누설 전류: 250 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 6 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541219000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.