STGF5H60DF

STMicroelectronics
511-STGF5H60DF
STGF5H60DF

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

ECAD 모델:
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재고 상태: 2,258

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,350.6 ₩2,351
₩1,303.8 ₩13,038
₩1,000.1 ₩100,010
₩803 ₩401,500
₩695 ₩695,000
₩659.9 ₩1,319,800
₩595.7 ₩2,978,500
₩569.4 ₩5,694,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
10 A
24 W
- 55 C
+ 175 C
STGF5H60DF
Tube
브랜드: STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 10 A
게이트-이미터 누설 전류: +/- 250 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 2.300 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.