STGF10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF10M65DF2
STGF10M65DF2

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

ECAD 모델:
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제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10M65DF2
브랜드: STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 20 A
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
게이트-이미터 누설 전류: +/- 250 uA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 2 g
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99