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STGD5H60DF

Name: STMicroelectronics STGD5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD5H60DF
Price: 1693 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STGD5H60DF

제조업체 번호:

STGD5H60DF

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

설계 완성하기

데이터시트:

STGD5H60DF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,893

재고:: 2,893 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 14 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,693.6	₩1,694
	₩1,062.9	₩10,629
	₩699.3	₩69,930
	₩600.1	₩300,050
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩508.1	₩1,270,250
	₩404.4	₩2,022,000
	₩388.4	₩3,884,000
	₩379.6	₩9,490,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
장착 스타일:	SMD/SMT
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	600 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.5 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	10 A
Pd - 전력 발산:	83 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	STGD5H60DF
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic :	10 A
게이트-이미터 누설 전류:	+/- 250 nA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	330 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STGD5H60DF 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.