STF7N80K5

STMicroelectronics
511-STF7N80K5
STF7N80K5

제조업체:

설명:
MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

ECAD 모델:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩4,336.2 ₩4,336
₩1,985.6 ₩19,856
₩1,941.8 ₩194,180
₩1,576.8 ₩788,400
₩1,391.4 ₩1,391,400
₩1,331.5 ₩2,663,000
₩1,330.1 ₩13,301,000
25,000 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
1.2 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
13.4 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 22.2 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 8.3 ns
시리즈: STF7N80K5
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 23.7 ns
표준 턴-온 지연 시간: 11.3 ns
단위 중량: 2 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.