STF27N60M2-EP

STMicroelectronics
511-STF27N60M2-EP
STF27N60M2-EP

제조업체:

설명:
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 707

재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩5,268.8 ₩5,269
₩2,664 ₩26,640
₩2,412.4 ₩241,240
₩1,968.4 ₩984,200
₩1,805.6 ₩1,805,600
₩1,702 ₩3,404,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
163 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 6.3 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 8.1 ns
시리즈: STF27N60M2-EP
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 55.6 ns
표준 턴-온 지연 시간: 13.4 ns
단위 중량: 2 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

KRHTS:
8541109000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854110090
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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