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STDRIVEG611QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG611QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG611QTR
Price: 2306 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-STDRIVEG611QTR

제조업체 번호:

STDRIVEG611QTR

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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라이프사이클:

신제품:

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데이터시트:

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제조업체 부품 번호:

STDRIVEG611Q

포장:

Tray

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩4,395

최소:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Gate Drivers
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-18
드라이버 수:	2 Driver
출력 수:	3 Output
공급 전압 - 최소:	10.6 V
공급 전압 - 최대:	18 V
구성:	Inverting, Non-Inverting
상승 시간:	11 ns
하강 시간:	22 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
포장:	Reel
브랜드:	STMicroelectronics
입력 전압 - 최대:	20 V
입력 전압 - 최소:	3.3 V
최대 턴-오프 지연 시간:	60 ns
최대 턴-온 지연 시간:	60 ns
습도에 민감:	Yes
출력 전압:	520 V
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	60 ns
Rds On - 드레인 소스 저항:	7 Ohms
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN

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STDRIVEG611 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG611 하프 브리지 게이트 드라이버는 N채널 증가 모드 GaN용 고전압 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. 하이 사이드 드라이버 섹션은 최대 600V의 전압 레일을 견딜 수 있도록 설계되었으며, 통합 부트스트랩 다이오드로 쉽게 전원을 공급받을 수 있습니다. 고전류 성능, 우수한 지연 매칭을 통한 짧은 전파 지연 시간, 그리고 통합된 LDO를 통해 STDRIVEG611은 고속 GaN 구동에 최적화되어 있습니다.