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STDRIVEG611Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG611Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG611Q
Price: 4454 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STDRIVEG611Q

제조업체 번호:

STDRIVEG611Q

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

STDRIVEG611Q 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 230

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공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,454.8	₩4,455
	₩3,344.8	₩33,448
	₩3,063.6	₩76,590
	₩2,752.8	₩275,280
	₩2,516	₩629,000
	₩2,442	₩1,221,000
	₩2,412.4	₩2,412,400
	₩2,353.2	₩5,883,000
	₩2,308.8	₩11,313,120

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Gate Drivers
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-18
드라이버 수:	2 Driver
출력 수:	3 Output
공급 전압 - 최소:	10.6 V
공급 전압 - 최대:	18 V
구성:	Inverting, Non-Inverting
상승 시간:	11 ns
하강 시간:	22 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
포장:	Tray
브랜드:	STMicroelectronics
입력 전압 - 최대:	20 V
입력 전압 - 최소:	3.3 V
최대 턴-오프 지연 시간:	60 ns
최대 턴-온 지연 시간:	60 ns
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	Gate Drivers
차단:	No Shutdown
팩토리 팩 수량:	4900
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN
단위 중량:	44 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STDRIVEG611Q 데이터시트 (PDF)

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG611 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG611 하프 브리지 게이트 드라이버는 N채널 증가 모드 GaN용 고전압 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. 하이 사이드 드라이버 섹션은 최대 600V의 전압 레일을 견딜 수 있도록 설계되었으며, 통합 부트스트랩 다이오드로 쉽게 전원을 공급받을 수 있습니다. 고전류 성능, 우수한 지연 매칭을 통한 짧은 전파 지연 시간, 그리고 통합된 LDO를 통해 STDRIVEG611은 고속 GaN 구동에 최적화되어 있습니다.