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STDRIVEG212QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG212QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG212QTR
Price: 5712 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STDRIVEG212QTR

제조업체 번호:

STDRIVEG212QTR

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

STDRIVEG212QTR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 613

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수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩5,712.8	₩5,713
	₩3,788.8	₩37,888
	₩3,448.4	₩86,210
	₩2,930.4	₩293,040
	₩2,782.4	₩695,600
	₩2,501.2	₩1,250,600
	₩2,338.4	₩2,338,400
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,968.4	₩5,905,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
제품:	Gate Driver
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-18
드라이버 수:	2 Driver
출력 수:	3 Output
출력 전류:	1.8 A
공급 전압 - 최소:	10.3 V
공급 전압 - 최대:	18 V
구성:	Inverting, Non-Inverting
상승 시간:	22 ns
하강 시간:	13 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	STMicroelectronics
개발 키트:	EVLSTDRIVEG212
최대 턴-오프 지연 시간:	65 ns
최대 턴-온 지연 시간:	65 ns
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	900 uA
출력 전압:	220 V
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	65 ns
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.8 Ohms
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN
상표명:	STDRIVE

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STDRIVEG212QTR 데이터시트 (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG212 220 V 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V 고속 하프 브리지 게이트 드라이버는 향상된 모드 GaN(생성적 적대 네트워크) HEMT를 구동하는 5V에 맞게 최적화되어 있습니다. 하이 사이드 드라이버 섹션은 최대 220V의 전압 레일을 지원하도록 설계되었으며 통합형 부트스트랩 다이오드로 쉽게 공급할 수 있습니다. 고전류 성능, 우수한 지연 정합으로 짧은 전파 지연 시간과 통합된 LDO 덕분에 STDRIVEG212는 고속 GaN(생성적 적대 네트워크) 구동에 최적화되어 있습니다.