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STDRIVEG211Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211Q
Price: 4043 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STDRIVEG211Q

제조업체 번호:

STDRIVEG211Q

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

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ECAD 모델:

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재고 상태: 664

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,043.2	₩4,043
	₩3,024.8	₩30,248
	₩2,766.4	₩69,160
	₩2,477.6	₩247,760
	₩2,340.8	₩585,200
	₩2,249.6	₩1,102,304
	₩2,173.6	₩2,130,128
	₩2,067.2	₩6,077,568

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Gate Drivers
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-18
드라이버 수:	2 Driver
출력 수:	3 Output
출력 전류:	1 A, 2.4 A
공급 전압 - 최소:	3.3 V
공급 전압 - 최대:	20 V
구성:	Inverting
상승 시간:	22 ns
하강 시간:	11 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
포장:	Tray
브랜드:	STMicroelectronics
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TH
개발 키트:	EVLSTDRIVEG611
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	1.02 nA
출력 전압:	220 V
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	60 ns
Rds On - 드레인 소스 저항:	7 Ohms
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	490
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STDRIVEG211Q 데이터시트 (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버는 N 채널 증가 모드 질화칼륨용으로 설계되었으며 하이사이드 드라이버 섹션은 최대 220V의 전압 레일을 견딜 수 있습니다. 이 드라이버는 고전류 용량, 우수한 지연 매칭을 통한 짧은 전파 지연, 통합된 LDO입니다. 따라서 고속 질화칼륨을 구동하는 데 최적화되어 있습니다. STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버는 하드 스위칭 애플리케이션에 맞춘 공급 UVLO, 교차 전도 조건을 방지하기 위한 인터로킹, SmartSD가 포함된 과전류 비교기를 갖추고 있습니다. 이 드라이버는 입력 핀의 범위를 확장하여 컨트롤러와 쉽게 인터페이스할 수 있습니다. 대기 핀을 사용하면 비활성 기간이나 버스트 모드에서 전력 소비를 줄일 수 있습니다. 태양광 마이크로 인버터, D등급 오디오 증폭기, 전기 자전거, LED 조명, USB-C, 전동 공구, 로봇 공학 등 다양한 분야에 적용 가능합니다.

STDRIVEG600 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG600 하프 브리지 게이트 드라이버는 GaN(질화 갈륨 ) eHEMT(강화 모드 고전 자 이동도 트랜지스터) 또는 N 채널 전력 MOSFET용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버 입니다. STDRIVEG600의 하이 측은 최대 600V의 전압에 견디도록 설계되었으며 버스 전압이 최대 500V인 설계 장치에 적합합니다. 이 장치는 높은 전류 성능, 짧은 전파 지연 및 5V 미만의 공급 전압으로 작동하므로 고속 GaN 및 실리콘 FET를 구동하는 데 이상적입니다.