브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

STDRIVE601TR

Name: STMicroelectronics STDRIVE601TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVE601TR
Price: 3241 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

511-STDRIVE601TR

제조업체 번호:

STDRIVE601TR

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 Triple half-bridge high-voltage gate driver

설계 완성하기

데이터시트:

STDRIVE601TR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

STMicroelectronics STDRIVE601TR에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 0

이 제품을 이월 주문으로 여전히 구매하실 수 있습니다.

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 1,991
공장 리드 타임:: 20

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,241.2	₩3,241
	₩2,409	₩24,090
	₩2,204.6	₩55,115
	₩1,971	₩197,100
	₩1,854.2	₩463,550
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩1,722.8	₩1,722,800
	₩1,635.2	₩3,270,400
	₩1,620.6	₩8,103,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Half-Bridge Drivers
타입:	High-Side, Low-Side
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-28
드라이버 수:	3 Driver
출력 수:	3 Output
출력 전류:	350 mA
공급 전압 - 최소:	9 V
공급 전압 - 최대:	20 V
상승 시간:	120 ns
하강 시간:	50 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	STDRIVE601
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
로직 타입:	CMOS, TTL
최대 턴-오프 지연 시간:	120 ns
최대 턴-온 지연 시간:	120 ns
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	85 ns
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	Si
단위 중량:	809 mg

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STDRIVE601TR 데이터시트 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STDRIVE601 삼중 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVE601 삼중 하프 브리지 게이트 드라이버는 BCD6s 오프라인 기술로 제조되는 고전압 장치입니다. 이 장치는 3상 애플리케이션에 적합한 N-채널 전력 MOSFET 또는 IGBT용 하프 브리지 게이트 드라이버 3개를 포함한 단일 칩입니다. 모든 장치 출력부가 각각 350mA와 200mA를 싱크 및 소스할 수 있습니다. 연동 및 데드타임 기능으로 교차 전도 방지가 보장됩니다. 이 장치에는 각 출력에 대한 전용 입력 핀과 셧다운 핀이 있습니다. 로직 입력 장치는 3.3V까지 CMOS/TTL 호환되므로 제어 장치와 쉽게 연동할 수 있습니다. 로우 측 및 하이 측 섹션 사이에 정합된 지연으로 사이클 왜곡이 발생하지 않도록 보장하고 고주파 작동을 허용합니다.