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STB33N60DM2

Name: STMicroelectronics STB33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB33N60DM2
Price: 7679 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STB33N60DM2

제조업체 번호:

STB33N60DM2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

설계 완성하기

데이터시트:

STB33N60DM2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 912

재고:: 912 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 16 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩7,679.6	₩7,680
	₩5,110	₩51,100
	₩3,664.6	₩366,460
	₩3,504	₩1,752,000
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩2,861.6	₩2,861,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-3 (TO-263-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	24 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	130 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	43 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	190 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	MDmesh
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	9 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	8 ns
시리즈:	STB33N60DM2
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	62 ns
표준 턴-온 지연 시간:	17 ns
단위 중량:	4 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STB33N60DM2 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.