STB24N60M2

STMicroelectronics
511-STB24N60M2
STB24N60M2

제조업체:

설명:
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

ECAD 모델:
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₩5,239.2 ₩5,239
₩3,418.8 ₩34,188
₩2,397.6 ₩239,760
₩2,086.8 ₩1,043,400
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₩1,953.6 ₩1,953,600
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제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
190 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
하강 시간: 61 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 9 ns
시리즈: STB24N60M2
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 15 ns
표준 턴-온 지연 시간: 14 ns
단위 중량: 4 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

표준 제품

STMicroelectronics 표준 제품은 가장 인기 있는 범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 업계 표준 및 즉시 교체 제품입니다. 표준 제품은 자동차 애플리케이션을 위해 다수의 AECQ 인증과 함께 최고 수준의 품질 기준에 따라 제조됩니다. SPICE, IBIS 모델 및 시뮬레이션 도구를 포함한 종합적인 설계 보조 장치를 사용하여 설계에 손쉽게 추가할 수 있습니다.