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STB18NF30

Name: STMicroelectronics STB18NF30
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18NF30
Price: 4810 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STB18NF30

제조업체 번호:

STB18NF30

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

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데이터시트:

STB18NF30 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 267

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩4,810	₩4,810
	₩3,137.6	₩31,376
	₩2,190.4	₩219,040
	₩1,864.8	₩932,400
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩1,731.6	₩1,731,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-3 (TO-263-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	330 V
Id - 연속 드레인 전류:	18 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	180 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	44 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	150 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q100
상표명:	STripFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	STB18NF30
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
단위 중량:	4 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STB18NF30 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET II™ 전력 MOSFET

STMicroelectronics STripFET II™ 전력 MOSFET는 새로운 게이트 구조의 STMicroelectronics 독점 STripFET™ 기술의 혜택을 받는 강화 모드 MOSFET입니다. STripFET™ 전력 MOSFET는 높은 전류와 낮은 R_DS(ON)을 제공합니다. 이 전력 MOSFET는 스위칭 게이트 전하가 매우 낮고, 애벌랜치 내구성이 높으며, 게이트 구동 전력 손실이 낮으며 및 전력 밀도가 높습니다. 이 STripFET™ 전력 MOSFET는 고효율 저전압 시스템을 위한 잘 정립된 평면 기술입니다.