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STB120N4LF6

Name: STMicroelectronics STB120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB120N4LF6
Price: 4232 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-STB120N4LF6

제조업체 번호:

STB120N4LF6

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

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데이터시트:

STB120N4LF6 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩4,232.8	₩4,233
	₩2,738	₩27,380
	₩1,894.4	₩189,440
	₩1,613.2	₩806,600
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩1,377.9	₩1,377,900

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-3 (TO-263-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	80 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	80 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	110 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q100
상표명:	STripFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	STB120N4LF6
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	4 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STB120N4LF6 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

AEC-Q101 공인 STripFET 전력 MOSFET

STMicroelectronics AEC-Q101 공인 STripFET 전력 MOSFET는 ST의 독점적인 트렌치 기반 저전압 기술을 활용하여 전도 손실을 극도로 낮춥니다. 이 전력 MOSFET는 전기 드라이브에서 일반적으로 손실되는 에너지를 최소화하여 효율성을 높이므로 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 3~12.5mΩ 범위의 R_DS(on)을 갖는 산업 표준 TO-252 및 TO-263 SMD 패키지로 제공되는 이 소장치는 대부분의 저전압 자동차 애플리케이션에서 우수한 성능을 발휘합니다. 이 제품군에는 표준 및 로직 레벨 임계값이 모두 포함됩니다.