L6498LD

STMicroelectronics
511-L6498LD
L6498LD

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 High voltage high and low-side 2 A gate driver

ECAD 모델:
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재고 상태: 772

재고:
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₩-
합계:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,730.2 ₩2,730
₩2,014.8 ₩20,148
₩1,825 ₩45,625
₩1,635.2 ₩163,520
₩1,533 ₩383,250
₩1,489.2 ₩744,600
₩1,427.9 ₩1,427,900
₩1,369.5 ₩2,739,000
₩1,347.6 ₩6,738,000

대체 포장

제조업체 부품 번호:
포장:
Reel, Cut Tape, MouseReel
구매 가능 정보:
재고 상태
가격:
₩2,774
최소:
1

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-14
2 Driver
2 Output
2.5 A
10 V
20 V
25 ns
25 ns
- 40 C
+ 125 C
L6498
Tube
브랜드: STMicroelectronics
최대 턴-오프 지연 시간: 120 ns
최대 턴-온 지연 시간: 120 ns
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 340 uA
출력 전압: 600 V
Pd - 전력 발산: 1 W
제품 유형: Gate Drivers
Rds On - 드레인 소스 저항: 175 Ohms
차단: No Shutdown
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
단위 중량: 130 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버

STMicroelectronics MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버는 산업, 소비자, 컴퓨터 및 자동차 애플리케이션을 위한 개별 장치 포트폴리오입니다. 이 포트폴리오는 단일 브리지와 하프 브리지 및 다중 채널 드라이버에 이르는 범위를 제공합니다. 이 드라이버는 저전압 또는 고전압(최대 1,500V) 애플리케이션용으로 평가됩니다. ST는 안전 및 기능 요구 사항을 충족하기 위해 갈바닉 절연 게이트 드라이버 IC도 제공합니다. SiP(시스템 인 패키지) 솔루션은 하이 측 및 로우 측 게이트 드라이버와 MOSFET 기반 전력단을 통합하고 있습니다. 따라서 높은 수준의 통합과 낮은 개발 비용으로 산업 시장에 이상적입니다.

L6498 고전압 하프 브리지 드라이버

STMicroelectronics L6498 고전압 하프 브리지 드라이버는 BCD6 "오프라인" 기술로 제조된 고전압 장치입니다. 이 드라이버는 N채널 전력 MOSFET 또는 IGBT용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. 하이 측(유동) 섹션은 최대 500V의 DC 전압 레일과 600V의 과도 전압에 견딜 수 있도록 설계되었습니다. 로직 입력 장치는 3.3V까지 CMOS/TTL 호환되므로 마이크로컨트롤러 또는 DSP와 같은 제어 장치를 쉽게 연동할 수 있습니다.

모터 드라이버

STMicroelectronics 모터 드라이버는 브러시형 DC 모터, 스테퍼 모터 및 브러시리스 DC 모터의 요구 사항을 다루는 광범위한 모터 드라이버입니다. 이 드라이버는 광범위한 전압 및 정격 전류로 제공됩니다.STSPIN 모터 드라이버에는 모터를 효율적으로 구동하는 데 필요한 모든 기능이 포함되어 있습니다. 이러한 기능은 높은 정확도로 달성되며 이 드라이버에는 고급 모션 프로파일 생성기가 포함되어 있습니다.

주요 제품
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