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L6494LDTR

Name: STMicroelectronics L6494LDTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-L6494LDTR
Price: 3314 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-L6494LDTR

제조업체 번호:

L6494LDTR

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 High voltage high and low-side 2 A gate driver

설계 완성하기

데이터시트:

L6494LDTR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 10,430

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,314.2	₩3,314
	₩2,452.8	₩24,528
	₩2,248.4	₩56,210
	₩2,014.8	₩201,480
	₩1,898	₩474,500
	₩1,825	₩912,500
	₩1,606	₩1,606,000
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,408.9	₩3,522,250
	₩1,400.1	₩7,000,500

대체 포장

제조업체 부품 번호:

L6494LD

포장:

Tube

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩3,008

최소:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
타입:	High-Side, Low-Side
장착 스타일:	SMD/SMT
드라이버 수:	2 Driver
출력 수:	2 Output
출력 전류:	2 A
공급 전압 - 최소:	10 V
공급 전압 - 최대:	20 V
상승 시간:	25 ns
하강 시간:	25 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	L6494
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	STMicroelectronics
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	Gate Drivers
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	Si
단위 중량:	130 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

L6494LDTR 데이터시트 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

L6494 고전압 하이/로우 측 2A 게이트 드라이버

STMicroelectronics L6494 고전압 하이/로우 측 2A 게이트 드라이버는 N채널 전력 MOSFET 또는 IGBT용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. 이 고전압 장치는 BCD6 "오프라인" 기술로 제조된 고전압 장치입니다. 하이 측(유동) 섹션은 최대 500V의 DC 전압 레일과 600V의 과도 전압에 견딜 수 있도록 설계되었습니다. 로직 입력 장치는 3.3V까지 CMOS/TTL 호환되므로 마이크로컨트롤러 또는 DSP와 같은 제어 장치를 쉽게 연동할 수 있습니다.

모터 드라이버

STMicroelectronics 모터 드라이버는 브러시형 DC 모터, 스테퍼 모터 및 브러시리스 DC 모터의 요구 사항을 다루는 광범위한 모터 드라이버입니다. 이 드라이버는 광범위한 전압 및 정격 전류로 제공됩니다.STSPIN 모터 드라이버에는 모터를 효율적으로 구동하는 데 필요한 모든 기능이 포함되어 있습니다. 이러한 기능은 높은 정확도로 달성되며 이 드라이버에는 고급 모션 프로파일 생성기가 포함되어 있습니다.

MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버

STMicroelectronics MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버는 산업, 소비자, 컴퓨터 및 자동차 애플리케이션을 위한 개별 장치 포트폴리오입니다. 이 포트폴리오는 단일 브리지와 하프 브리지 및 다중 채널 드라이버에 이르는 범위를 제공합니다. 이 드라이버는 저전압 또는 고전압(최대 1,500V) 애플리케이션용으로 평가됩니다. ST는 안전 및 기능 요구 사항을 충족하기 위해 갈바닉 절연 게이트 드라이버 IC도 제공합니다. SiP(시스템 인 패키지) 솔루션은 하이 측 및 로우 측 게이트 드라이버와 MOSFET 기반 전력단을 통합하고 있습니다. 따라서 높은 수준의 통합과 낮은 개발 비용으로 산업 시장에 이상적입니다.