L6393D

STMicroelectronics
511-L6393D
L6393D

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 HALF-BRIDGE GATE DRIVER

ECAD 모델:
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재고 상태: 1,451

재고:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩4,905.6 ₩4,906
₩3,693.8 ₩36,938
₩3,197.4 ₩79,935
₩3,051.4 ₩305,140
₩2,890.8 ₩722,700
₩2,803.2 ₩1,401,600
₩2,730.2 ₩2,730,200
₩2,613.4 ₩5,226,800
₩2,569.6 ₩12,848,000

대체 포장

제조업체 부품 번호:
포장:
Reel, Cut Tape, MouseReel
구매 가능 정보:
재고 상태
가격:
₩2,205
최소:
1

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-14
2 Driver
2 Output
430 mA
10 V
20 V
75 ns
35 ns
- 40 C
+ 125 C
L6393
Tube
브랜드: STMicroelectronics
로직 타입: CMOS, TTL
최대 턴-오프 지연 시간: 200 ns
최대 턴-온 지연 시간: 200 ns
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 270 mA
출력 전압: 580 V
Pd - 전력 발산: 800 mW
제품 유형: Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
단위 중량: 259.200 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버

STMicroelectronics MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버는 산업, 소비자, 컴퓨터 및 자동차 애플리케이션을 위한 개별 장치 포트폴리오입니다. 이 포트폴리오는 단일 브리지와 하프 브리지 및 다중 채널 드라이버에 이르는 범위를 제공합니다. 이 드라이버는 저전압 또는 고전압(최대 1,500V) 애플리케이션용으로 평가됩니다. ST는 안전 및 기능 요구 사항을 충족하기 위해 갈바닉 절연 게이트 드라이버 IC도 제공합니다. SiP(시스템 인 패키지) 솔루션은 하이 측 및 로우 측 게이트 드라이버와 MOSFET 기반 전력단을 통합하고 있습니다. 따라서 높은 수준의 통합과 낮은 개발 비용으로 산업 시장에 이상적입니다.

L638xE 및 L639x 게이트 드라이버

STMicroelectronics L638xE 및 L639x 게이트 드라이버는 N채널 전력 MOSFET 또는 IGBT용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. L638xE 및 L639x는 BCD™ "오프라인" 기술을 사용하여 제조된 고전압 장치입니다. 이 고전압 게이트 드라이버는 하이 측(플로팅) 섹션에서 최대 600V의 전압 레일에 견디도록 설계되었습니다. L638xE 및 L639x 게이트 드라이버 로직 입력 장치는 CMOS 또는 TTL 호환 가능하므로 제어 장치와의 인터페이스를 용이하게 해줍니다. 이러한 L638xE 게이트 드라이버는 DIP-8, SO-8, DIP-14 및 SO-14 튜브 패키지로 제공됩니다. L639x 게이트 드라이버는 SO-8, SO-14 튜브 및 SO-16 튜브 패키징 옵션으로 제공됩니다.
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모터 드라이버

STMicroelectronics 모터 드라이버는 브러시형 DC 모터, 스테퍼 모터 및 브러시리스 DC 모터의 요구 사항을 다루는 광범위한 모터 드라이버입니다. 이 드라이버는 광범위한 전압 및 정격 전류로 제공됩니다.STSPIN 모터 드라이버에는 모터를 효율적으로 구동하는 데 필요한 모든 기능이 포함되어 있습니다. 이러한 기능은 높은 정확도로 달성되며 이 드라이버에는 고급 모션 프로파일 생성기가 포함되어 있습니다.

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