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MSC080SMA120J

Name: Microchip MSC080SMA120J
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC080SMA120J
Price: 42048 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

494-MSC080SMA120J

제조업체 번호:

MSC080SMA120J

제조업체:

Microchip Technology

설명:

MOSFET 모듈 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227

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데이터시트:

MSC080SMA120J 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 33

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩42,048	₩42,048
	₩36,631.4	₩366,314
	₩36,105.8	₩1,083,174
	₩31,696.6	₩3,169,660

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Microchip
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
기술:	SiC
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	SOT-227-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	37 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	100 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, + 25 V
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	200 W
포장:	Tube
브랜드:	Microchip Technology
구성:	Single
제품 유형:	MOSFET Modules
팩토리 팩 수량:	10
하위 범주:	Discrete and Power Modules
타입:	Power MOSFET
단위 중량:	47.178 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

탄화 규소(SiC) 반도체

Microchip Technology 탄화 규소(SiC) 반도체는 산업, 의료, 군사/항공우주, 항공 및 통신 시장 부문을 포괄하는 제품에서 시스템 효율성, 더 작은 폼 팩터 및 더 높은 작동 온도를 개선하려는 전력 전자 설계자를 위한 혁신적인 옵션입니다. 마이크로칩의 차세대 SiC MOSFET 및 SiC SBD(SCHOTTKY 배리어 다이오드)는 높은 반복성 UIS(무클램핑 유도 스위칭) 성능으로 설계되었으며, 이의 SiC MOSFET은 약 10J/cm² ~15J/cm² 의 높은 UIS 성능 및 3 ms~5 ms의 강력한 단락 보호 기능을 유지합니다. Microchip Technology SiC SBD는 낮은 역전류에서 평형 서지 전류, 순방향 전압, 열 저항 및 열 정격 정전용량으로 설계되어 스위칭 손실을 낮춥니다. 또한 SiC MOSFET과 SiC SBD를 함께 결합하여 모듈에 사용할 수 있습니다.

SiC(실리콘 카바이드) MOSFET

Microsemi/Microchip SiC(실리콘 카바이드) MOSFET은 기존 실리콘(Si) 전력 MOSFET보다 뛰어난 동적 및 열 성능을 제공합니다.이 MOSFET은 낮은 정전용량, 낮은 게이트 전하, 빠른 스위칭 속도, 우수한 애벌랜치 견고성이 특징입니다. SiC MOSFET은 175°C의 높은 접합 온도에서 안정적으로 작동할 수 있습니다. 이 MOSFET은 낮은 스위칭 손실로 높은 효율을 제공합니다. SiC MOSFET은 프리휠링 다이오드가 필요하지 않고 시스템 비용을 줄여줍니다. 일반적으로 스마트 그리드 전송 및 분배, 유도 가열 및 용접, 전원 공급 및 배전에 사용됩니다.