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MSC030SDA120K

Name: Microchip MSC030SDA120K
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC030SDA120K
Price: 15288 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

494-MSC030SDA120K

제조업체 번호:

MSC030SDA120K

제조업체:

Microchip Technology

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220

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데이터시트:

MSC030SDA120K 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 862

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수량	단가	합계
	₩15,288.4	₩15,288
	₩14,104.4	₩352,610
	₩12,269.2	₩1,226,920

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Microchip
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220FP-2
구성:	Single
If - 순방향 전류:	30 A
Vrrm - 반복 역 전압:	1.2 kV
Vf - 순방향 전압:	1.5 V
If - 순방향 서지 전류:	165 A
Ir - 역 전류:	200 uA
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	MSC0
포장:	Tube
브랜드:	Microchip Technology
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	PH
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압:	1.2 kV

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Microsemi / Microchip SiC SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 종래의 실리콘 전력 다이오드보다 우수한 동적 성능과 및 열성능을 제공합니다. SiC(탄화규소) 배리어 다이오드는 규소(Si)와 탄소(C)로 구성됩니다. SiC 장치는 규소만으로 제작된 장치에 비해 훨씬 더 큰 절연 파괴 전계 강도, 더 높은 밴드갭 및 더 높은 열전도성을 제공합니다. SiC 쇼트키 다이오드는 순방향 및 역방향 회복 전하가 0인 점이 특징으로, 다이오드 스위칭 손실을 줄여줍니다. 또한, 이 장치는 온도에 독립적인 스위칭을 제공하여 안정적인 고온 성능을 보장합니다.

탄화 규소(SiC) 반도체

Microchip Technology 탄화 규소(SiC) 반도체는 산업, 의료, 군사/항공우주, 항공 및 통신 시장 부문을 포괄하는 제품에서 시스템 효율성, 더 작은 폼 팩터 및 더 높은 작동 온도를 개선하려는 전력 전자 설계자를 위한 혁신적인 옵션입니다. 마이크로칩의 차세대 SiC MOSFET 및 SiC SBD(SCHOTTKY 배리어 다이오드)는 높은 반복성 UIS(무클램핑 유도 스위칭) 성능으로 설계되었으며, 이의 SiC MOSFET은 약 10J/cm² ~15J/cm² 의 높은 UIS 성능 및 3 ms~5 ms의 강력한 단락 보호 기능을 유지합니다. Microchip Technology SiC SBD는 낮은 역전류에서 평형 서지 전류, 순방향 전압, 열 저항 및 열 정격 정전용량으로 설계되어 스위칭 손실을 낮춥니다. 또한 SiC MOSFET과 SiC SBD를 함께 결합하여 모듈에 사용할 수 있습니다.